„sk hynix“ pristato 4d ir „flash“ atminties koncepciją - Sk

„SK Hynix“ pristato 4D NAND „Flash“ atminties koncepciją



3D NAND flash revolutionized flash storage as it used the third dimension (height) to stack multiple NAND flash layers, resulting in infinitesimally smaller footprint and reduced costs. SK Hynix believes that a '4-dimensional' NAND flash package is possible. Don't worry, such a stack doesn't look like a tesseract. Conventional 3D NAND flash relies on stacks of charge-trap flash (CTF) cells spatially located alongside its periphery block (which is responsible for wiring out each of the layers of the CTF stack). On a 2-D plane you'd be spending substrate real-estate on both the CTF and periphery block.

„SK Hynix“ tiki, kad periferijos bloką galima sukrauti kartu su CTF rietuve, o mikroskopinėmis vijomis reikia sujungti rietuvę išilgai periferijos, taip sumažinant kiekvienos ląstelės krūvos pėdsaką. 4D krovimas taip pat leis gauti daugiau CTF krūvų vienoje ląstelėje. Kad būtų aiškiau, mes kalbame apie ląstelių krūvas, o ne apie NAND blykstės mirčių krūvas. „SK Hynix“ dizaino V5 elementų rietuvė apima 4 langelius ir periferinius blokus. Pirmasis šios technologijos įgyvendinimas yra 96 ​​sluoksnių 4D NAND blykstė, turinti 512 Gb talpos ir TLC (3 bitų vienai ląstelei) tankį, nors ši technologija yra paruošta QLC ląstelėms. Šios 512 Gb lusto imtys bus pradėtos imti 2018 m. Pabaigoje, o įmonė jau dirba prie 1 Tb lusto 2019 metams.
Source: Tom's Hardware