sk hynix vystosi 1znm 16gb ddr4 dram - Sk

„SK hynix“ kuria 1Znm 16 Gb DDR4 DRAM



SK hynix Inc. announced today that it has developed 1Znm 16Gb (Gigabits) DDR4 (Double Data Rate 4) DRAM. As 16Gb is the industry's largest density for a single chip, the total memory capacity per wafer is also the largest of the existing DRAMs. The productivity of this product has improved by about 27% compared to the previous generation, 1Y nm. It does not require highly expensive extreme ultraviolet (EUV) lithography, which gives it a competitive edge cost-wise.

Naujasis 1Z nm DRAM taip pat palaiko duomenų perdavimo spartą iki 3200 Mbps, tai yra greičiausias duomenų apdorojimo greitis DDR4 sąsajoje. Bendrovė žymiai padidino energijos vartojimo efektyvumą, sėkmingai sumažindama energijos suvartojimą maždaug 40%, palyginti su tokio paties tankio moduliais, pagamintais naudojant 1Y nm 8 Gb DRAM. Visų pirma, „SK hynix“ pritaikė naują medžiagą, nenaudotą ankstesnės kartos gamybos procese, maksimaliai padidindama šio 1Znm produkto talpą. Talpa - elektros krūvio, kurį kondensatorius gali kaupti, yra pagrindinis DRAM veikimo elementas. Taip pat buvo pristatytas naujas dizainas, siekiant padidinti eksploatavimo stabilumą.

„1Znm DDR4 DRAM gali pasigirti didžiausiu pramonės tankumu, greičiu ir galios efektyvumu, todėl tai yra geriausias produktas, patenkinantis besikeičiančius klientų, siekiančių didelio našumo / didelio tankio DRAM, reikalavimus“, - teigė Lee Jung-hoon, „1Z TF“ vadovas. DRAM plėtra ir verslas. „SK hynix kitais metais pradės masinę gamybą ir viso masto pristatymą, kad aktyviai reaguotų į rinkos paklausą“.

SK hynix plans to expand the 1Znm technology process to a variety of applications, such as LPDDR5, the next generation mobile DRAM, and HBM3, the fastest DRAM to be.