„Samsung Electronics“ pristato naują „Flashbolt HBM2E“ didelės spartos atmintį



Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology, today announced its new High Bandwidth Memory (HBM2E) product at NVIDIA's GPU Technology Conference (GTC) to deliver the highest DRAM performance levels for use in next-generation supercomputers, graphics systems, and artificial intelligence (AI).

Naujas sprendimas „Flashbolt“ yra pirmasis pramonėje „HBM2E“, pateikiantis 3,2 gigabito per sekundę (Gbps) duomenų perdavimo greitį, kuris yra 33 procentais greitesnis nei ankstesnės kartos HBM2. „Flashbolt“ tankis yra 16Gb per die, dvigubai didesnis nei ankstesnės kartos. Su šiais patobulinimais vienas „Samsung HBM2E“ paketas pasiūlys 410 gigabaitų per sekundę (GBps) duomenų pralaidumą ir 16 GB atminties. 'Flashbolt's industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications,' said Jinman Han, senior vice president of Memory Product Planning and Application Engineering Team at Samsung Electronics. 'We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our 'high-performance, high capacity, and low power' memory segment to meet market demand.'