„Micron Tapes Out 128“ 3D NAND „Flash“ atmintis



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

„Micron“ komentuoja, kad šis 4-ojo gen. 128 sluoksnių 3D NAND bus sustabdymo taškas, skirtas tik kelioms pasirinktoms programoms ir galbūt nematys tokio priėmimo pobūdžio kaip dabartiniai 96 sluoksnių lustai. Panašu, kad bendrovė labiau orientuojasi į savo evoliuciją, galbūt 5-osios kartos 3D NAND, kurie, tikimasi, duos apčiuopiamą mokestį už bitą įmonei, nes ji pereina į naujesnį silicio gamybos mazgą ir įgyvendina dar naujesnes technologijas. RG. „Mes pasiekėme savo pirmuosius išmetamuosius štampus, naudodamiesi trumpaisiais tarpais arba„ RG “. Šis etapas dar labiau sumažina mūsų RG perėjimo riziką. Priminsime, kad pirmasis mūsų RG mazgas bus 128 sluoksnių ir bus naudojamas pasirinktam produktų rinkiniui. Mes nesitikime, kad RG reikšmingai sumažins išlaidas iki FY2021, kai mūsų antrosios kartos RG mazgas bus plačiai dislokuotas. Todėl tikimės, kad NAND išlaidos bus minimaliai sumažintos FY2020 metais. Mūsų RG gamybos dislokavimo metodas optimizuos mūsų NAND kapitalo investicijų IG “, - sakė Sanjay Mehrotra,„ Micron “generalinis direktorius ir prezidentas.
Source: AnandTech